光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。鄭州電池濕法堿拋設(shè)備濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能有效將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻。

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢：閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機+高效過濾器的方式，l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。

要降低電池濕法設(shè)備的成本，可以從以下幾個方面入手：1.選用合適的設(shè)備：在購買設(shè)備時，要根據(jù)實際需求選擇合適的設(shè)備，不要盲目追求高級設(shè)備，以免造成不必要的浪費。2.優(yōu)化工藝流程：通過優(yōu)化工藝流程，可以減少設(shè)備的使用量和能耗，從而降低成本。例如，可以采用更高效的電解液、調(diào)整電流密度等。3.控制原材料成本：原材料是電池濕法設(shè)備的主要成本之一，要盡可能地降低原材料成本。可以通過采購優(yōu)良、低價的原材料、與供應(yīng)商談判降低價格等方式實現(xiàn)。4.加強設(shè)備維護：定期對設(shè)備進行維護和保養(yǎng)，可以延長設(shè)備壽命，減少故障率，從而降低維修和更換設(shè)備的成本。5.提高生產(chǎn)效率：通過提高生產(chǎn)效率，可以減少生產(chǎn)時間和能耗，從而降低成本?？梢圆捎米詣踊a(chǎn)線、提高工人技能水平等方式實現(xiàn)?？傊?，降低電池濕法設(shè)備的成本需要從多個方面入手，需要綜合考慮各種因素，才能實現(xiàn)更佳效果。濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）慢提拉采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。

濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

電池濕法設(shè)備配合先進的干燥技術(shù)，可有效去除電池漿料中的水分和其他雜質(zhì)，提高電極的干燥效果。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

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